Nemrégiben beszéltünk például az ionimplantációról:
Miért ionimplantáció?
Miért kell eltérnie egy bizonyos szögtől, amikor ionokat injektál?
Ennek a technológiának a bevezetése azonban elkerülhetetlenül károsodást okoz a szilícium ostyák kristályszerkezetének. Ez a kár az atomszintű ütközésekből származik, amelyeket a szilícium rácson áthatoló, nagy energiájú ionok váltanak ki. Amikor a nagy energiájú ionok bombázzák a szilícium anyagokat, óriási kinetikus energiájuk megzavarja az eredeti atomrendezést, ami rács torzuláshoz, üresedési kialakuláshoz és az intersticiális atomok felhalmozódásához vezet.
Utána
Ezek a mikrobetűk nemcsak a kompozit központot képezik a hordozó mobilitásának csökkentése érdekében, hanem a helyi sávszerkezet torzulását is okozhatják, ami súlyosan befolyásolja az eszköz elektromos teljesítményét.
Az ionimplantáció negatív hatásainak kiküszöbölése érdekében a hőkezelés kulcsfontosságú lépés a rácskárosodás javításában. Azáltal, hogy beültetett szennyeződésekkel rendelkező szilícium ostyákat egy meghatározott hőmérsékleti környezetbe helyeznek a hőkezeléshez, a rácsos atomok átrendezhetők és helyreállíthatók egy rendezett szerkezetre.
Ebben a folyamatban a szennyezősági atomok a kezdeti rés helyzetéből a rács helyettesítési helyére vándorolnak, hogy helyreállítsák a rács integritását és megvalósítsák a szennyeződések elektromos aktiválását.
Utána
A hagyományos termikus lágyítást általában 600-1000 fokos hőmérsékleti tartományban hajtják végre. A magas hőmérsékleti környezet elegendő energiát biztosít az atomi diffúzióhoz, de a hosszú ideig tartó hőkezelés a szennyeződések túlzott diffúziójához vezethet, és megváltoztathatja az előre megtervezett dopping-eloszlási profilt.
Ez a hátrány különösen kiemelkedő a finom nano-méretű folyamatban, ahol a szennyeződések termikus diffúziója könnyen áttörheti a tervezési méretkorlátot, és a tranzisztor teljesítményének eltérését okozhatja.
A hagyományos lágyítási folyamat korlátozásainak áttörése érdekében a Rapid Lesing Technology (RTA) kialakult. Ez a technológia nagy energiájú sűrűségű hőforrást használ a gyors fűtés és a rövid idő kezelésére, beleértve az impulzus lézer -lágyítást, az elektronnyaláb -lágyítást és a Xenon lámpatest -lágyítást.
